Cвойства наноструктур, сформированных на поверхности диффузионным массопереносом
Journal Title: Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ - Year 2014, Vol 0, Issue 4
Abstract
В работе показана возможность создания наноструктур на поверхности Ge в темпера- турном интервале 300 − 400 К, свойства которых изучены методами оптической, атомно- силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). Использование КРС позволило установить, что после снятия внешнего де- формирующего кристалл давления остаточные напряжения в вырощеных наноструктурах не обнаруживаются, что способствует сохранению их длительной стабильности в процессе испытаний и хранения.
Authors and Affiliations
А. И. Уколов, В. А. Надточий, А. С. Винокурова, А. З. Калимбет
ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО Ge МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ
В данной работе методом атомно-силовой микроскопии выполнены исследования поверхности образцов монокристаллического Ge , циклически деформированных одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температ...
Использование параллактического треугольника для преобразования координат
В данной работе показана возможность использования сферической геометрии на сфере в астрономии. Речь пойдёт о преобразовании горизонтальной системы координат в экваториальную с помощью паралактического треугольника и цел...
Измерение диффузионной длины носителей заряда в приповерхностных слоях монокристалла германия
В работе показана возможность практического использования фотоэлектрического метода для определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в приповерхностных слоях полупроводников. Выполнены теоретические расчеты...
Екстремальна задача для подвійних операторів Фейєра на класах інтегралів Пуасона
Отриманi розв’язки екстремальної задачi для верхнiх граней вiдхилень подвiйних опера- торiв Фейєра на класах iнтегралiв Пуасона.
Представление повторных методов Валле Пуссена в виде λ –методов
Получены элементы суммирующих треугольных матриц операторов повторных методов Валле Пуссена.