Электрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурах

Abstract

Структурные исследования ковалентных полупроводников, деформированных при низких температурах, показали важную роль вакансий в пластичности приповерхностных слоев. Дислокационные петли, возникающие под действием деформации в области объемного заряда p-n-перехода кремния, значительно снижают время жизни неравновесных носите- лей заряда, инжектируемых в базу. На вольтамперных характеристиках p-n-перехода с дислокациями обнаруживается резкое возрастание обратного тока.

Authors and Affiliations

В. А. Надточий, Н. К. Нечволод

Keywords

Related Articles

ПРИБЛИЖЕНИЕ ИНТЕГРАЛОВ ПУАССОНА r –ПОВТОРНЫМИ СУММАМИ ВАЛЛЕ ПУССЕНА

Обчисленi значення iнтегралiв у головному членi асимптотичних формул для точних верхнiх меж вiдхилень r –повторних сум Валле Пуссена на класах iнтегралiв Пуассона.

Проблема наступності сучасної фізико-математичної освіти

Стаття присвячена дослiдженню основних проблем реалiзацiї принципу наступностi у ви- вченнi фiзики. Розглянуто можливостi їх подолання на сучасному етапi розвитку суспiль- ства. Видiлено основнi вимоги до органiзацiї дис...

Наближення локально сумовних функцій малої гладкості операторами Валле Пуссена в інтегральній метриці

В роботi розглядаються питання наближення класiв Степанця L^ψ N операторами Вал- ле Пуссена в просторi L у випадку, коли множини L^ψ N складаються з функцiй малої гладкостi. Одержано асимптотичнi закони поведiнки верхнiх...

15 Років електронному навчанню на фізико-математичному факультеті.

Iнформатизацiя суспiльства проявляє себе в усiх галузях дiяльностi i освiта не є виклю- ченням. Значний емпiричний досвiд використання комп’ютерних технологiй в освiтнiй дiяльностi та необхiднiсть його теоретичного аналi...

Двокольорові хордові діаграми мінімального роду з циклами певного кольору

В роботi розглядається клас планарних двокольорових хордових дiаграм з n хордами, що мають точно k ≤ n циклiв певного кольору. Для k = 9 i натуральних n ≥ 9 встановлено формули пiдрахунку числа нееквiвалентних таких дiаг...

Download PDF file
  • EP ID EP261313
  • DOI -
  • Views 75
  • Downloads 0

How To Cite

В. А. Надточий, Н. К. Нечволод (2016). Электрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурах. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, 0(6), 56-60. https://europub.co.uk./articles/-A-261313