МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ЕЛЕКТРИЧНОГО ЗМІЩЕННЯ НА НИЗЬКОЧАСТОТНИЙ ШУМ В ПОЛІКРИСТАЛІЧНОМУ КРЕМНІЇ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2017, Vol 1, Issue
Abstract
Представлена модель впливу процесів емісії та захвату на пастках на низькочастотний електричний шум меж зерен у полікристалічному кремнії. Ця модель враховує вплив прямого і зворотнього зміщення області просторового заряду межі зерна на низькочастотні флуктуації напруги в цій області. Встановлено ослаблення збільшення низькочастотного шуму на межі зерна із підвищенням електричного зміщення. Цей факт пояснюється зменшенням функції заповнення та перерізу захвату пасток в області межі зерна полікристалічного кремнію при підвищенні прикладеної напруги
Authors and Affiliations
Ніна СТРОІТЄЛЄВА
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539373
- DOI -
- Views 174
- Downloads 0
ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СИСТЕМИ Zn3P2-Cd3P2
В межах квазікубічного наближення описано зонну структуру потрійних тетрагональних напівпровідників (ZNXCD1-X)3P2, запропоновано аналітичні залежності зонних параметрів від складу х. отримано правила відбору для міжзонни...
СИНТЕЗ ТА ВЛАСТИВОСТІ КЕРАМІЧНИХ ДІЕЛЕКТРИЧНИХ МАТЕРІАЛІВ ДЛЯ ЕФЕКТИВНИХ МІКРОРЕЗОНАТОРІВ В РАДІОСПЕКТРОСКОПІЧНИХ ДОСЛІДЖЕННЯХ
В роботі розглянута можливість суттєвого підвищення чутливості ЕПР спектрометра за рахунок розробки мініатюрного керамічного резонатора, синтезованого з діелектричних матеріалів. Проведено синтез різних видів кераміки та...
ВПЛИВ ПОСТ-ТЕХНОЛОГІЧНОГО ВІДПАЛУ НА СПЕКТРИ КОМБІНАЦІЙНОГО РОЗСІЯННЯ Cu2ZnSnS4, ОТРИМАНОГО МЕТОДОМ СВС
В роботі досліджено можливість отримання четверних сполук Cu2ZnSnS4 із структурою кестериту методом високотемпературного синтезу що самопоширюється. З даних Раманівського розсіювання світла встановлено, що синтезований м...
ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЙНИХ ПОЛІВ НА ШВИДКІСТЬ РОЗПИЛЕННЯ ІОННИМ ПУЧКОМ НАДГРАТОК AlN/GaN
Досліджено розподіл механічних напружень в надгратці AlN/GaN та їх зміни внаслідок імплантації іонів інертних газів. Встановлено залежність швидкості розпилення іоним пучком від механічних напружень.
МОДЕЛЮВАННЯ РОБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ, ВИКОНАНИХ НА БАЗІ СТРУКТУРИ SnS/ZnS/FTO
Проведене числове моделювання таких експлуатаційних характеристик фотоелектричних перетворювачів, виконаних на базі структури SnS/ZnS/FTO, як: густина струму короткого замикання, напруга холостого ходу, фактор заповнення...