Technological Methods of Forming Thin Semiconductor Layers Part 1
Journal Title: Науковий вісник Львівського національного університету ветеринарної медицини та біотехнологій імені С.З. Гжицького - Year 2019, Vol 21, Issue 91
Abstract
The review and analysis of the basic technological methods of formation of thin layers of semiconductor materials is presented. The timeframe for the occurrence of thin film technologies and the main centers of their localization are specified. It is shown that nowadays structure, properties and basic methods of obtaining thin films sufficiently well studied for not only simple but also complex, multi-component inorganic semiconductor materials, new areas of application and increase of requirements to the operational characteristics of devices on their basis require improvement of existing technologies and development of new methods for their synthesis, which involves a detailed analysis of the known, and the search for new, progressive methods of preparation. Due to the fact that the main methods for obtaining thin films of inorganic semiconductor materials are vacuum condensation and chemical precipitation, the first part of the review describes the methods of their vacuum application, in particular, thermal spraying in an open vacuum. It is shown that the most common way of obtaining thin films is the thermal spraying under resistive heating of the evaporator with the source material.We analyze the special structural and technological changes and improvement of traditional methods and systems of thermal spraying, which allow to equalize the ratio of the chemical composition of thin films and the source material, improve the stoichiometry of condensates, and ensure their homogeneity.The designs of thermal evaporators with resis-tive heating of crucibles in an open vacuum with sublimation or evaporation of one and two substances are presented. It is shown how these types of evaporators exclude the transfer of solid particles into evaporating or sublimation into the vapor phase and eliminate direct vapor deposition on the condensation surface, which more or less protects against heterogeneous condensate inclusions.It is shown that the methods analyzed or their modifications are nowadays the necessary means for the creation of thin-film semiconductor structures with predetermined properties, while vacuum deposition, in particular, traditional and modified thermal spraying in a vacuum due to its simplicity(but at the same time its ability to effectively control a large the number of technological factors and create the necessary conditions for the growth of condensates) remains one of the most common ways of obtaining thin films, including inorganic semiconductors.
Authors and Affiliations
B. Tsizh, Z. Dziamski
Keywords
Related Articles
- EP ID EP593228
- DOI 10.32718/nvlvet-f9104
- Views 75
- Downloads 0
The influence of probiotic fodder additives on the morphofunctional state of duodenum pigs
The article is dedicated to the study of the effect of a class of microorganisms and substances of microbial and other origin that are used in feeding pigs to achieve maximum growth in animal mass, as well as therapeutic...
Зниження вмісту віцинальних дікетонів при зброджуванні високогустинного сусла
Одним із завдань високогустинного пивоваріння як сучасної енергоощадної технології є отримання пива високої якості, адже смак і аромат напою ‒ його головні споживчі властивості. Віцинальні дікетони ‒ діацетил (2,3-бутанд...
Аспекти розвитку різних організаційно-правових форм підприємницької діяльності в аграрному секторі
Одним з найважливіших напрямів в цьому контексті є проблеми організаційно-правових форм розвитку підприємни-цької діяльності в сільському господарстві. В умовах конкурентного ринкового середовища важливе значення для...
ВПЛИВ МЕТІФЕНУ ТА ВІТАМІКСУ SE НА АКТИВНІСТЬ АМІНОТРАНСФЕРАЗ СИРОВАТКИ КРОВІ БИЧКІВ ЗА НІТРАТНО-КАДМІЄВОГО НАВАНТАЖЕННЯ
У статті наведено результати досліджень впливу нітрату натрію та кадмію хлориду на активність амінотрансфераз. Встановлено, що згодовування бичкам нітрату натрію у дозі 0,15 гNО3¯/кг маси тіла та хлориду кадмію у дозі 0,...
Супресія клітинних факторів імунітету токсичною фракцією супернатанту бульйонної культури Pasteurella haemolytica
Встановлено, що важливим фактором патогенетичного впливу у Pasteurella haemolytica, є токсична фракція. Аналіз елек-трофореграми результатів ампліфікування ДНК в порівняльному аспекті з даними стандартних зразків допомог...