WYTRZYMAŁOŚĆ ELEKTRYCZNA MODYFIKOWANYCH POWIERZCHNIOWO TLENKOWYCH OGRANICZNIKÓW PRZEPIĘĆ, CERAMIKI C – 130 ORAZ UKŁADÓW SZKŁO – ELASTOMER SILIKONOWY
Journal Title: Proceedings of Electrotechnical Institute Prace Instytutu Elektrotechniki - Year 2012, Vol 59, Issue 259
Abstract
W pracy przedstawiono mechanizm rozwoju wyładowań powierzchniowych na ceramice, szkle z powłoką z elastomeru silikonowego oraz pomiędzy polimerem a warystorem. Na tej podstawie określono wytrzymałość powierzchniową materiałów oraz zarejestrowano wyładowania powierzchniowe podczas prób. Rodzaj wyładowań na powierzchni lub blisko powierzchni dielektryków zależy od materiału po którym ono przebiega, ładunku przestrzennego oraz powierzchniowego, jak również od rodzaju napięcia i kształtu elektrod. Napięcie przeskoku izolatorów oraz urządzeń chroniących sieć elektryczną może być zwiększone poprzez zastosowanie półprzewodzących powłok, które odprowadzają ładunek generowany na powierzchni oraz prowadzą do ujednorodnienia rozkładu pola elektrycznego wzdłuż powierzchni materiału. Teza ta została potwierdzona poprzez pomiary wykonane przy użyciu napięcia stałego, przemiennego oraz impulsowego. W przypadku szkła z powłoką z elastomeru silikonowego, wyładowanie powierzchniowe rozwija się częściej po stronie szkła co przedstawiono na zarejestrowanych obrazach.
Authors and Affiliations
Krzysztof KOGUT, Beata ZBOROMIRSKA – WNUKIEWICZ
Keywords
Related Articles
- EP ID EP187672
- DOI -
- Views 79
- Downloads 0
ENERGIA Z ODNAWIALNYCH ŹRÓDEŁ I SPOŁECZEŃSTWO – NIEZBĘDNE ZMIANY SYSTEMOWE
W artykule zostaną przedstawione aspekty techniczne oraz socjologiczne konieczne do efektywnej realizacji unijnych, proekologicznych założeń. W związku z zaobserwowanymi niekorzystnymi zmianami klimatycznymi Bruksela pr...
ANALIZA WIDM SPEKTROSKOPII EMISYJNEJ ZA POMOCĄ WIELOWYMIAROWYCH METOD STATYSTYCZNYCH
W pracy przedstawiono przykłady zastosowania wielowymiarowych metod statystycznych w badaniach widm spektroskopii emisyjnej. Krótko scharakteryzowano najistotniejsze właściwości dwóch metod, takich jak Analiza Czynnikowa...
WYBRANE SPOSOBY MINIMALIZACJI ŁĄCZENIOWYCH STRAT ENERGII W WYSOKONAPIĘCIOWYCH TRANZYSTORACH MOSFET PRACUJĄCYCH Z TWARDĄ KOMUTACJĄ
W artykule przedstawiono wybrane sposoby ograniczania łączeniowych strat energii w tranzystorach MOSFET pracujących z twardą komutacją. Głównym źródłem strat energii w tym procesie jest ładunek wsteczny diod zwrotnych k...
ANALYSIS OF THE IMPACT OF THE DEGREE OF MOISTURE AND TEMPERATURE ON THE PARAMETERS SUBSTITUTE SCHEMA PAPER-OIL INSULATION ON THE BASIS OF THE COLE-COLE MODEL
Transformers belong to the most important group of devices of power networks systems the state of paper-oil insulated transformer to a large extent decides their correct operation. Despite the development of production o...
OPTIMIZATION OF DISCRETIZATION PARAMETERS IN THE IMAGE DIAGNOSTICS SYSTEMS
The model for analysis of optimization of objects discretization parameters was shown in the paper. Border values of contours coefficient variables were determined and on the basis of that the intervals of areas increas...