ZASTOSOWANIE WYMIARU FRAKTALNEGO DO ANALIZY KONTURU OBIEKTÓW
Journal Title: Informatyka Automatyka Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska - Year 2012, Vol 2, Issue 2
Abstract
W artykule zaprezentowano wyniki analizy fraktalnej zbioru obrazów testowych podzielonych umownie na 12 kategorii. Celem badań było szacowanie wymiaru fraktalnego na podstawie konturu badanych obiektów, w oparciu o metodę pudełkową i metodę masa-promień. Wyniki analizy pokazały, iż łączne zastosowanie obu wspomnianych metod może być wykorzystane w procesie klasyfikacji obrazów.
Authors and Affiliations
Zbigniew Omiotek
CONTROL SYSTEM ELABORATION FOR PHOSPHORITE CHARGE PELLETIZING PROCESS
Regular granulation of fine materials requires appropriate density and humidity fluctuations. The control system of pelletizing process that assures optimal modes was proposed. The combined control algorithm was realized...
GENERALIZED APPROACH TO HURST EXPONENT ESTIMATING BY TIME SERIES
This paper presents a generalized approach to the fractal analysis of self-similar random processes by short time series. Several stages of the fractal analysis are proposed. Preliminary time series analysis includes the...
AUTOMATYZACJA SYSTEMOWEGO POZIOMU PROJEKTOWANIA INTELIGENTNEGO DOMU
W artykule przedstawiono opracowanie schematu strukturalnego inteligentnego domu (ID), ogólny algorytm pracy systemu ID, a także model systemu ID na podstawie kolorowej sieci Petri, co pozwala badać dynamikę zachowania z...
MATHEMATICAL MODELING SINGULARLY PERTURBED PROCESSES OF WATER SOFTENING ON SODIUM-CATIONITE FILTERS
Mathematical model of the process of water softening using ion exchange pre-treatment of waters to desalination, with a view to removal of scale forming components, such as calcium and magnesium, are formed in the paper....
THE DESIGN OF READOUT FRONT-END ELECTRONICS FOR TIME AND ENERGY MEASUREMENTS FOR SEMICONDUCTOR STRIP DETECTORS
This work presents the design of the readout front-end electronics for time and energy measurements dedicated for double-sided strip detectors implemented in submicron technology UMC 180 nm CMOS. The simultaneous and acc...