АНІЗОТРОПНІ МОДЕЛІ ЗРОСТАЮЧИХ ПОВЕРХОНЬ ТОНКИХ ПЛІВОК
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2017, Vol 1, Issue
Abstract
Досліджується процес зростання тонкої плівки шляхом осадження частинок на поверхню субстрату, його аналітичний опис і відмінності від рівноважних проблем. Обговорюється доцільність нових чинників, таких як анізотропія і нелінійна дифузія, до проблеми зростання шорстких поверхонь. Розглядаються властивості шорстких зростаючих поверхонь з нелінійною дифузією. Запропоновано аналітичну модель, яка основана на новому стохастичному рівнянні з нелінійним коефіцієнтом дифузії. За допомогою елементарного масштабно-інваріантного підходу отримано скейлінгові показники. Для аналізу процесів осадження органічних напівпровідників, молекули яких мають певну асиметрію, вводитьсябезперервне динамічне рівняння.
Authors and Affiliations
Сергій Павлік
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539465
- DOI -
- Views 193
- Downloads 0
МОДЕЛЮВАННЯ ПРИЛАДУ ДЛЯ РЕЄСТРАЦІЇ ЗАБРУДНЕНЬ В ЕНЕРОЗБЕРІГАЮЧИХ СИСТЕМАХ
Розробка приладу для реєстрації забруднень на напівпровідникових оптоструктурах, для використання в системах пожежної безпеки на виробництві та в побуті
ХАЛЬКОГЕНІДНІ СТЕКЛА ЛЕГОВАНІ ДРІБНОДИСПЕРСНИМ ZnS:Mn
В роботі проведенні дослідження халькогенідних стекол As-S, легованих дрібнодисперсним ZnS:Mn. Частинки сульфіду цинку вводились в халькогенідне скло двома способами: в процесі синтезу, і введенням частинок в розплав скл...
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРИСТОГО Ge
германий является полупроводником, электрохимия которого изучена наиболее полно. Представления, развитые на основе исследований электрохимических свойств германия, являются основой электрохимии полупроводников и использу...
ПОБУДОВА МЕТОДИКИ СИНТЕЗУ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ІНТЕГРОВАНОГО ДАТЧИКА ПОТУЖНОСТІ ВИПРОМІНЮВАНЬ
Запропоновано трьохрівневу методику синтезу та дослідження інтегрованих адаптивних датчиків на основі біполярного транзистора з польовим керуванням (БТПК). Побудована система адаптивного регулювання чутливості розроблени...
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ СИСТЕМЫ Cu2ZnSnS4 - Cu2ZnSnSe4
Направленной кристаллизацией расплава выращены кристаллы соединений Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 и твердых растворов Cu2ZnSnS4хSe4(1-х). Методом микрорентгеноспектрального анализа определен состав полученных кристаллов, рентген...