ХАЛЬКОГЕНІДНІ СТЕКЛА ЛЕГОВАНІ ДРІБНОДИСПЕРСНИМ ZnS:Mn
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
В роботі проведенні дослідження халькогенідних стекол As-S, легованих дрібнодисперсним ZnS:Mn. Частинки сульфіду цинку вводились в халькогенідне скло двома способами: в процесі синтезу, і введенням частинок в розплав скла. Фотолюмінесцентні дослідження показали, що в склі, легованому в процесі синтезу, спостерігаються дві смуги фотолюмінесценції (ФЛ), які обумовленні самоактивованою ФЛ і випромінюванням марганцю в ZnS. У випадку введення частинок ZnS:Mn в розплав скла, спостерігається тільки смуга ФЛ, яка обумовлена самоактивованим (СА) випромінюванням в ZnS, що свідчить про більш рівномірне легування скла.
Authors and Affiliations
Валерій Кідалов, Алена ДЯДЕНЧУК, Ц. А. КРИСЬКОВ, Ю. Ю. БАЧЕРИКОВ, О. Б. ОХРИМЕНКО, А. Г. ЖУК
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539797
- DOI -
- Views 170
- Downloads 0
ПОБУДОВА МЕТОДИКИ СИНТЕЗУ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ІНТЕГРОВАНОГО ДАТЧИКА ПОТУЖНОСТІ ВИПРОМІНЮВАНЬ
Запропоновано трьохрівневу методику синтезу та дослідження інтегрованих адаптивних датчиків на основі біполярного транзистора з польовим керуванням (БТПК). Побудована система адаптивного регулювання чутливості розроблени...
ПЕРЕНЕСЕННЯ ДОМІШКОВИХ АТОМІВ У НЕОДНОРІДНОМУ ПОЛІ МІКРОНАПРУЖЕНЬ ТЕКСТУРОВАНИХ ПОЛІКРИСТАЛІВ
З позиції вирішення статистичної крайової задачі мікромеханіки неоднорідних середовищ запропоновано математичну модель дифузійного перенесення домішок у неоднорідному полі мікронапружень. Розглянуто дифузійне перенесення...
НАНОДИОД ШОТТКИ КАК ИНСТРУМЕНТ ИССЛЕДОВАНИЯ КИНЕТИКИ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР
Показано, что метод нанодиода Шоттки является эффективным способом «визуализации» поверхностных реакциий может быть использован как новый физический метод в исследовании атомно-молекулярных и электронных процессов на пов...
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРИСТОГО Ge
германий является полупроводником, электрохимия которого изучена наиболее полно. Представления, развитые на основе исследований электрохимических свойств германия, являются основой электрохимии полупроводников и использу...
ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СИСТЕМИ Zn3P2-Cd3P2
В межах квазікубічного наближення описано зонну структуру потрійних тетрагональних напівпровідників (ZNXCD1-X)3P2, запропоновано аналітичні залежності зонних параметрів від складу х. отримано правила відбору для міжзонни...