НАНОДИОД ШОТТКИ КАК ИНСТРУМЕНТ ИССЛЕДОВАНИЯ КИНЕТИКИ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Показано, что метод нанодиода Шоттки является эффективным способом «визуализации» поверхностных реакциий может быть использован как новый физический метод в исследовании атомно-молекулярных и электронных процессов на поверхности твердых тел. Изучена кинетика хемотока, возбуждаемого в реакции рекомбинации на поверхности нанодиода Pd(15нм)/n-Si атомарных частиц (Н+Н, О+О, Н+О), а также в реакции молекул (Н2+О2), поступающих из газовой фазы. Для некоторых систем определена эффективность поступления хемоэлектронов во внешнюю цепь в расчёте на один акт взаимодействия (или на образующуюся молекулу продукта).
Authors and Affiliations
S. V. SIMCHENKO, В. В. СТЫРОВ
Keywords
Related Articles
- EP ID EP544668
- DOI -
- Views 151
- Downloads 0
ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЙНИХ ПОЛІВ НА ШВИДКІСТЬ РОЗПИЛЕННЯ ІОННИМ ПУЧКОМ НАДГРАТОК AlN/GaN
Досліджено розподіл механічних напружень в надгратці AlN/GaN та їх зміни внаслідок імплантації іонів інертних газів. Встановлено залежність швидкості розпилення іоним пучком від механічних напружень.
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщи...
ХАЛЬКОГЕНІДНІ СТЕКЛА ЛЕГОВАНІ ДРІБНОДИСПЕРСНИМ ZnS:Mn
В роботі проведенні дослідження халькогенідних стекол As-S, легованих дрібнодисперсним ZnS:Mn. Частинки сульфіду цинку вводились в халькогенідне скло двома способами: в процесі синтезу, і введенням частинок в розплав скл...
ПРОБЛЕМИ ТА ПЕРСПЕКТИВИ ЗАСТОСУВАННЯ СУЛЬФІДУ КАДМІЮ У СОНЯЧНІЙ ЕНЕРГЕТИЦІ
Наведені результати аналізу найважливіших технологічних характеристик сонячних елементів на основі сульфіду кадмію з точки зору їх використання у сонячній енергетиці. Надано оцінку перспектив такого використання.
ДОСЛІДЖЕННЯ ОПТОЕЛЕКТРИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕТЕРОСТРУКТУР n-Si/n-ZnO/P-NiO
В даній роботі досліджувались вольтамперні та фольтфарадні характеристики гетеропереходів p-NiO/n-ZnO та n-ZnO/n-Si. Було показано, що дані структури мають високу фоточутливість, а також низький рівень дефектності.