ДОСЛІДЖЕННЯ ОПТОЕЛЕКТРИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕТЕРОСТРУКТУР n-Si/n-ZnO/P-NiO

Abstract

В даній роботі досліджувались вольтамперні та фольтфарадні характеристики гетеропереходів p-NiO/n-ZnO та n-ZnO/n-Si. Було показано, що дані структури мають високу фоточутливість, а також низький рівень дефектності.

Authors and Affiliations

С. САПОН, Ю. ПОЛІЩУК, Т. САБОВ, Н. САФРЮК, О. ДУБІКОВСЬКИЙ

Keywords

Related Articles

МОДЕЛЮВАННЯ РОБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ, ВИКОНАНИХ НА БАЗІ СТРУКТУРИ SnS/ZnS/FTO

Проведене числове моделювання таких експлуатаційних характеристик фотоелектричних перетворювачів, виконаних на базі структури SnS/ZnS/FTO, як: густина струму короткого замикання, напруга холостого ходу, фактор заповнення...

ОТРИМАННЯ ПЛІВОК ZnO НА МАКРОПОРУВАТОМУ Si (100) МЕТОДОМ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РОЗПИЛЕННЯ

У даній роботі методом реактивного магнетронного ВЧ розпилення отримані плівки ZnO на підкладках кремнію орієнтації (100) з попередньо нанесеною системою макропор. Рентгенографічні дослідження ZnO показали, що вони мають...

АВТОМАТИЗОВАНИЙ ПЛЕОПТИЧНИЙ ПРИЛАД ДЛЯ ДИНАМІЧНОГО АУТОТРЕНІНГУ

Метод, що реалізовується приладом називається динамічним аутотренінгом (ДА). У його основу покладена умовно-рефлекторна технологія, що дозволяє відновити контроль з боку нервової системи за процесами, що протікають в зор...

ОТРИМАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАНОТРУБОК ZnO НА ПОВЕРХНІ ПОРУВАТОГО ZnSe

У роботі розглянуто виготовлення та дослідження покриттів ZnO на поруватій поверхні ZnSe. Поруваті підкладки отримано методом електрохімічного травлення. В результаті відпалу в потоці атомарного кисню наностовпці ZnSe ко...

ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СИСТЕМИ Zn3P2-Cd3P2

В межах квазікубічного наближення описано зонну структуру потрійних тетрагональних напівпровідників (ZNXCD1-X)3P2, запропоновано аналітичні залежності зонних параметрів від складу х. отримано правила відбору для міжзонни...

Download PDF file
  • EP ID EP542758
  • DOI -
  • Views 151
  • Downloads 0

How To Cite

С. САПОН, Ю. ПОЛІЩУК, Т. САБОВ, Н. САФРЮК, О. ДУБІКОВСЬКИЙ (2018). ДОСЛІДЖЕННЯ ОПТОЕЛЕКТРИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕТЕРОСТРУКТУР n-Si/n-ZnO/P-NiO. ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ, 2(), 45-46. https://europub.co.uk./articles/-A-542758