ДОСЛІДЖЕННЯ ОПТОЕЛЕКТРИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕТЕРОСТРУКТУР n-Si/n-ZnO/P-NiO
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
В даній роботі досліджувались вольтамперні та фольтфарадні характеристики гетеропереходів p-NiO/n-ZnO та n-ZnO/n-Si. Було показано, що дані структури мають високу фоточутливість, а також низький рівень дефектності.
Authors and Affiliations
С. САПОН, Ю. ПОЛІЩУК, Т. САБОВ, Н. САФРЮК, О. ДУБІКОВСЬКИЙ
МОДЕЛЮВАННЯ РОБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ, ВИКОНАНИХ НА БАЗІ СТРУКТУРИ SnS/ZnS/FTO
Проведене числове моделювання таких експлуатаційних характеристик фотоелектричних перетворювачів, виконаних на базі структури SnS/ZnS/FTO, як: густина струму короткого замикання, напруга холостого ходу, фактор заповнення...
ОТРИМАННЯ ПЛІВОК ZnO НА МАКРОПОРУВАТОМУ Si (100) МЕТОДОМ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РОЗПИЛЕННЯ
У даній роботі методом реактивного магнетронного ВЧ розпилення отримані плівки ZnO на підкладках кремнію орієнтації (100) з попередньо нанесеною системою макропор. Рентгенографічні дослідження ZnO показали, що вони мають...
АВТОМАТИЗОВАНИЙ ПЛЕОПТИЧНИЙ ПРИЛАД ДЛЯ ДИНАМІЧНОГО АУТОТРЕНІНГУ
Метод, що реалізовується приладом називається динамічним аутотренінгом (ДА). У його основу покладена умовно-рефлекторна технологія, що дозволяє відновити контроль з боку нервової системи за процесами, що протікають в зор...
ОТРИМАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАНОТРУБОК ZnO НА ПОВЕРХНІ ПОРУВАТОГО ZnSe
У роботі розглянуто виготовлення та дослідження покриттів ZnO на поруватій поверхні ZnSe. Поруваті підкладки отримано методом електрохімічного травлення. В результаті відпалу в потоці атомарного кисню наностовпці ZnSe ко...
ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СИСТЕМИ Zn3P2-Cd3P2
В межах квазікубічного наближення описано зонну структуру потрійних тетрагональних напівпровідників (ZNXCD1-X)3P2, запропоновано аналітичні залежності зонних параметрів від складу х. отримано правила відбору для міжзонни...