АВТОМАТИЗОВАНИЙ ПЛЕОПТИЧНИЙ ПРИЛАД ДЛЯ ДИНАМІЧНОГО АУТОТРЕНІНГУ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Метод, що реалізовується приладом називається динамічним аутотренінгом (ДА). У його основу покладена умовно-рефлекторна технологія, що дозволяє відновити контроль з боку нервової системи за процесами, що протікають в зоровому аналізаторі. Мета методу полягає в корекції діяльності центральних механізмів мозку, відповідальних за регуляцію функцій зору.
Authors and Affiliations
Леонід Верьовкін, Миколай Світанько, О. В. СУСЛОВ
Keywords
Related Articles
- EP ID EP544661
- DOI -
- Views 160
- Downloads 0
ТЕХНОЛОГІЯ І ВЛАСТИВОСТІ НИЗЬКО-РОЗМІРНИХ КОМПОЗИТНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ З ОКИСДНИМИ ПЛІВКАМИ TiO2
Проведено дослідження низько-розмірних композитних структур на основі пористого кремнію з оксидними плівками TiO2, одержання яких є перспективним для використання у якості підзатворного діелектрика в КМОН технології. Дос...
ПОВЕРХНОСТНЫЙ ПОТЕНЦИАЛ МЕЗОРАЗМЕРНЫХ ЧАСТИЦ ZnS:Mn, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ СВС
Исследована зависимость величины поверхностного потенциала от размера частиц микро- и мезо- фракций порошкообразного ZnS:Mn, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Показано хорошее согл...
ПЕРЕНЕСЕННЯ ДОМІШКОВИХ АТОМІВ У НЕОДНОРІДНОМУ ПОЛІ МІКРОНАПРУЖЕНЬ ТЕКСТУРОВАНИХ ПОЛІКРИСТАЛІВ
З позиції вирішення статистичної крайової задачі мікромеханіки неоднорідних середовищ запропоновано математичну модель дифузійного перенесення домішок у неоднорідному полі мікронапружень. Розглянуто дифузійне перенесення...
THE USE OF RAPID THERMAL ANNEALING FOR THE FORMATION OF OXIDE FILMS IN THE STRUCTURE Dy2O3/por-SiC/SiC
Using Auger spectrometry techniques, we studied the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of dysprosium oxide films deposited onto a por-SiC/SiC. An analysis of atomic composition of the films under i...
ВЛИЯНИЕ СОДЕРЖАНИЯ СЕРЫ И СЕЛЕНА НА КИНЕТИКУ ГИБЕЛИ ФОТОГЕНЕРИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Cu2ZnSn(SхSe1-х)4
Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости изучено влиянии содержания серы и селена на кинетику гибели фотогенерированных носителей тока в твердых растворах CZTSSe. Обнаружено, что при большем содержании се...