THE USE OF RAPID THERMAL ANNEALING FOR THE FORMATION OF OXIDE FILMS IN THE STRUCTURE Dy2O3/por-SiC/SiC
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Using Auger spectrometry techniques, we studied the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of dysprosium oxide films deposited onto a por-SiC/SiC. An analysis of atomic composition of the films under investigation as a function of RTA duration was performed. It is shown that the RTA method allows one to obtain thin oxide films of Dy2O3, with a composition close to stoichiometric on the surface of por-SiC/SiC. At the same time, the increase in the RTA time leads to an improvement in the quality of the film/substrate interface.
Authors and Affiliations
O. B. Okhrimenko, Yu. Yu. Bacherikov, R. V. Konakova, L. M. Kapitanchuk, A. M. Svetlichnyi
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539935
- DOI -
- Views 185
- Downloads 0
РАДІОЧАСТОТНИЙ ІНДИКАТОР ШПИГУНСЬКИХ ПРИСТРОЇВ
Розглянуто розроблений та запропонований пристрій для виявлення шпигунських пристроїв.
СИНТЕЗ ТА ВЛАСТИВОСТІ КЕРАМІЧНИХ ДІЕЛЕКТРИЧНИХ МАТЕРІАЛІВ ДЛЯ ЕФЕКТИВНИХ МІКРОРЕЗОНАТОРІВ В РАДІОСПЕКТРОСКОПІЧНИХ ДОСЛІДЖЕННЯХ
В роботі розглянута можливість суттєвого підвищення чутливості ЕПР спектрометра за рахунок розробки мініатюрного керамічного резонатора, синтезованого з діелектричних матеріалів. Проведено синтез різних видів кераміки та...
РОЗРОБКА МОДЕЛЕЙ ЛЕГУВАННЯ З ВИКОРИСТАННЯМ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ТА ТЕМПЕРАТУРНИХ КЕРОВАНИХ ВПЛИВІВ
Проблема легування тісно пов’язана з визначенням домішкових рівнів, які виникають у напівпровідниках при його легуванні. Важливе місце займає питання дослідження розчинності легуючих добавок у напівпровіднику при різних...
GaN CLUSTERS OBTAINED BY THE METHOD OF RADICAL-BEAM EPITAXY ON POROUS GaAs
This paper proposes an original method for producing gallium nitride clusters on substrates of nanoporous gallium arsenide by annealing the substrate in an atmosphere of nitrogen radicals. The porous surface of GaAs was...
ПЕРСПЕКТИВИ ЗАСТОСУВАННЯ ТОНКОПЛІВКОВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА ОСНОВІ ТЕЛУРИДА КАДМІЮ
Розглянуті шляхи підвищення к.к.д. тонкоплівкових сонячних елементів на основі телурида кадмію. Надані рекомендації щодо подальших пошуків таких шляхів.