GaN CLUSTERS OBTAINED BY THE METHOD OF RADICAL-BEAM EPITAXY ON POROUS GaAs
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
This paper proposes an original method for producing gallium nitride clusters on substrates of nanoporous gallium arsenide by annealing the substrate in an atmosphere of nitrogen radicals. The porous surface of GaAs was obtained by electrochemical etching. The chemical composition of the surface was studied by the method of energy dispersive analysis of X-rays (EDAX), the morphology and photoluminescence in the visible spectral range of the obtained structures were also studied. It is shown that the photoluminescent properties of GaN clusters depend on the porosity of the GaAs substrate and the geometric dimensions of the formed clusters.
Authors and Affiliations
S. V. SIMCHENKO, І. В. РОГОЗІН, M. M. KAYKI
Keywords
Related Articles
- EP ID EP541537
- DOI -
- Views 173
- Downloads 0
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщи...
АНІЗОТРОПНІ МОДЕЛІ ЗРОСТАЮЧИХ ПОВЕРХОНЬ ТОНКИХ ПЛІВОК
Досліджується процес зростання тонкої плівки шляхом осадження частинок на поверхню субстрату, його аналітичний опис і відмінності від рівноважних проблем. Обговорюється доцільність нових чинників, таких як анізотропія і...
ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ДЕФЕКТІВ НА ЯКІСТЬ ЕПІТАКСІЙНИХ КОМПОЗИЦІЙ І КОНТАКТНИХ СИСТЕМ ДЛЯ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ
Енергія є ключовим фактором, а також знаходиться в центрі економічних, соціальних і екологічних цілей сталого розвитку. Обсяг виробництва сонячних фотоелектричних систем зростає в середньому на 30% в рік. В статті запроп...
ЗАСТОСУВАННЯ ПЛІВКОВОГО НАГРІВАЧА В СЕНСОРІ НА ОСНОВІ ЯВИЩА ПОВЕРХНЕВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСУ
В роботі продемонстровано можливість застосування тонкоплівкових композитних нагрівальних елементів (In2O3-20%, SnO2-80%) в сенсорах на основі явища поверхневого плазмонного резонансу з золотим плазмонним шаром. Це дозво...
ПЕРЕВІРКА ТОЧНОСТІ ВІДХИЛЕННЯ КАНТИЛЕВЕРУ АТОМНО-СИЛОВОГО МІКРОСКОПУ В ПРОЦЕСІ ДОСЛІДЖЕННЯ РЕЛЬЄФУ НАНОСТРУКТУРОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ
В матеріалах доповіді визначаються параметри, що впливають на точність відхилення кантилеверу атомно-силового мікроскопу та, відповідно, точність дослідження рельєфу наноструктурованих поверхонь. Показано, що найбільший...