МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ

Abstract

Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщины пористой пленки общее сопротивление увеличивается. Для оценки адекватности разработанной математической модели контакта металл-пористый арсенид галлия с барьером Шоттки были построены вольт-амперные характеристики и рассчитано общее контактное сопротивление для экспериментальных образцов с различной толщиной пористого слоя. Расхождение между результатами моделирования и экспериментальными данными не превышает 20%.

Authors and Affiliations

С. Э. ПРИТЧИН, А. Г. ХОЛОД

Keywords

Related Articles

МОДЕЛЮВАННЯ ПРИЛАДУ ДЛЯ РЕЄСТРАЦІЇ ЗАБРУДНЕНЬ В ЕНЕРОЗБЕРІГАЮЧИХ СИСТЕМАХ

Розробка приладу для реєстрації забруднень на напівпровідникових оптоструктурах, для використання в системах пожежної безпеки на виробництві та в побуті

МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ЕЛЕКТРИЧНОГО ЗМІЩЕННЯ НА НИЗЬКОЧАСТОТНИЙ ШУМ В ПОЛІКРИСТАЛІЧНОМУ КРЕМНІЇ

Представлена модель впливу процесів емісії та захвату на пастках на низькочастотний електричний шум меж зерен у полікристалічному кремнії. Ця модель враховує вплив прямого і зворотнього зміщення області просторового заря...

ЗАСТОСУВАННЯ ПЛІВКОВОГО НАГРІВАЧА В СЕНСОРІ НА ОСНОВІ ЯВИЩА ПОВЕРХНЕВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСУ

В роботі продемонстровано можливість застосування тонкоплівкових композитних нагрівальних елементів (In2O3-20%, SnO2-80%) в сенсорах на основі явища поверхневого плазмонного резонансу з золотим плазмонним шаром. Це дозво...

ФОРМУВАННЯ ІЗОТИПНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ ZNO/SI

Досліджено початкові стадії росту плівки ZnO на поверхні Si при кімнатній температурі методами AFM, XRR, XRD, SIMS, I-V та C-V. Показано, що діодна характеристика гетероперехіду ZnO/Si утворюватися лише при досягненні пе...

СХЕМО-ТЕХНІЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ І РОЗРАХУНКИ ПОПЕРЕДНЬОГО ПІДСИЛЮВАЧА ДЛЯ ФОТОМЕТРИЧНОГО АНАЛІЗАТОРА ДІАГНОСТИЧНОЇ ІНФОРМАЦІЇ

Розроблено структурну схему пристрою. Вибрано світлодіод та розраховано динамічний діапазон регулювання середнього значення струму через нього. Запропоновано методику розрахунку схеми попереднього підсилювача для пристро...

Download PDF file
  • EP ID EP541739
  • DOI -
  • Views 144
  • Downloads 0

How To Cite

С. Э. ПРИТЧИН, А. Г. ХОЛОД (2018). МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ. ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ, 2(), 38-40. https://europub.co.uk./articles/-A-541739