МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщины пористой пленки общее сопротивление увеличивается. Для оценки адекватности разработанной математической модели контакта металл-пористый арсенид галлия с барьером Шоттки были построены вольт-амперные характеристики и рассчитано общее контактное сопротивление для экспериментальных образцов с различной толщиной пористого слоя. Расхождение между результатами моделирования и экспериментальными данными не превышает 20%.
Authors and Affiliations
С. Э. ПРИТЧИН, А. Г. ХОЛОД
Keywords
Related Articles
- EP ID EP541739
- DOI -
- Views 140
- Downloads 0
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщи...
МОДЕЛЮВАННЯ РОБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ, ВИКОНАНИХ НА БАЗІ СТРУКТУРИ SnS/ZnS/FTO
Проведене числове моделювання таких експлуатаційних характеристик фотоелектричних перетворювачів, виконаних на базі структури SnS/ZnS/FTO, як: густина струму короткого замикання, напруга холостого ходу, фактор заповнення...
ВЛИЯНИЕ СОДЕРЖАНИЯ СЕРЫ И СЕЛЕНА НА КИНЕТИКУ ГИБЕЛИ ФОТОГЕНЕРИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Cu2ZnSn(SхSe1-х)4
Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости изучено влиянии содержания серы и селена на кинетику гибели фотогенерированных носителей тока в твердых растворах CZTSSe. Обнаружено, что при большем содержании се...
ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЙНИХ ПОЛІВ НА ШВИДКІСТЬ РОЗПИЛЕННЯ ІОННИМ ПУЧКОМ НАДГРАТОК AlN/GaN
Досліджено розподіл механічних напружень в надгратці AlN/GaN та їх зміни внаслідок імплантації іонів інертних газів. Встановлено залежність швидкості розпилення іоним пучком від механічних напружень.
ШЛЯХИ ПІДВИЩЕННЯ ЧУТЛИВОСТІ ФОТОПРИЙМАЛЬНОГО КАНАЛУ ІМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ДАЛЕКОМІРА
У роботі розглянуто структуру імпульсного лазерного далекоміра та способи його вдосконалення, а саме підвищення чутливості фотоприймального каналу за допомогою просвітлення вхідного вікна фотоприймача - кремнієвого фільт...