МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщины пористой пленки общее сопротивление увеличивается. Для оценки адекватности разработанной математической модели контакта металл-пористый арсенид галлия с барьером Шоттки были построены вольт-амперные характеристики и рассчитано общее контактное сопротивление для экспериментальных образцов с различной толщиной пористого слоя. Расхождение между результатами моделирования и экспериментальными данными не превышает 20%.
Authors and Affiliations
С. Э. ПРИТЧИН, А. Г. ХОЛОД
Keywords
Related Articles
- EP ID EP541739
- DOI -
- Views 147
- Downloads 0
ПРУЖНІ ВЛАСТИВОСТІ МЕТАЛЕВОГО СКЛА Ni
У даній роботі вивчені температурні залежності констант пружності металевого скла Ni методами молекулярної динаміки (МД) та розраховані константи пружності у кристалічному стані і стані скла в інтервалі температур 0-700К...
ВИРОБНИЦТВО ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ КРЕМНІЮ МЕТОДОМ ХІМІЧНОГО ОСАДЖЕННЯ З ПАРОВОЇ ФАЗИ
Розглянуто сучасний стан технологій формування епітаксійних шарів кремнію. Незважаючи на активні дослідження альтернативних процесів, на сьогодні основною промисловою технологією залишається хімічне осадження з парової ф...
АНІЗОТРОПНІ МОДЕЛІ ЗРОСТАЮЧИХ ПОВЕРХОНЬ ТОНКИХ ПЛІВОК
Досліджується процес зростання тонкої плівки шляхом осадження частинок на поверхню субстрату, його аналітичний опис і відмінності від рівноважних проблем. Обговорюється доцільність нових чинників, таких як анізотропія і...
ПЕРСПЕКТИВИ ЗАСТОСУВАННЯ ТОНКОПЛІВКОВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА ОСНОВІ ТЕЛУРИДА КАДМІЮ
Розглянуті шляхи підвищення к.к.д. тонкоплівкових сонячних елементів на основі телурида кадмію. Надані рекомендації щодо подальших пошуків таких шляхів.
THE USE OF RAPID THERMAL ANNEALING FOR THE FORMATION OF OXIDE FILMS IN THE STRUCTURE Dy2O3/por-SiC/SiC
Using Auger spectrometry techniques, we studied the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of dysprosium oxide films deposited onto a por-SiC/SiC. An analysis of atomic composition of the films under i...