ПЕРЕВІРКА ТОЧНОСТІ ВІДХИЛЕННЯ КАНТИЛЕВЕРУ АТОМНО-СИЛОВОГО МІКРОСКОПУ В ПРОЦЕСІ ДОСЛІДЖЕННЯ РЕЛЬЄФУ НАНОСТРУКТУРОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
В матеріалах доповіді визначаються параметри, що впливають на точність відхилення кантилеверу атомно-силового мікроскопу та, відповідно, точність дослідження рельєфу наноструктурованих поверхонь. Показано, що найбільший вплив на точність відхилення кантилеверу чинять теплові шуми. Проведено розрахунок значень теплових шумів та відхилення кантилеверу та встановлено, що за максимальних значень амплітуди теплових шумів у 2 нм, відхилення кантилеверу складатиме 14,2 нм, що необхідно враховувати при визначенні реальної величини нанорельєфу досліджуваної поверхні.
Authors and Affiliations
О. І. АНДРІЄНКО, Maksym Bondarenko
Keywords
Related Articles
- EP ID EP544623
- DOI -
- Views 202
- Downloads 0
РАДІОЧАСТОТНИЙ ІНДИКАТОР ШПИГУНСЬКИХ ПРИСТРОЇВ
Розглянуто розроблений та запропонований пристрій для виявлення шпигунських пристроїв.
МІКРОЕЛЕКТРОННА СИСТЕМА ПІДВИЩЕННЯ ЯКОСТІ МОН-ІНТЕГРАЛЬНІХ СХЕМ
Виявлено зв'язок між видами випробувань і дефектами, що проявляються при певному випробуванні, що дозволить підбирати потрібну програму випробувань. Синусоїдальний режим проведення електротермотренування КМОН інтегральни...
ВПЛИВ ЛЕГУВАННЯ Si КВАНТОВИХ ТОЧОК AlAs/InAs У ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ AlAs/InAs/GaAs
Для дослідження впливу легування були виготовлені сонячні елементи з квантовими точками InAs/GaAs у проміжній зоні, пролеговані Si. Присутність домішок Si в квантових точках призводить до покращення ефективності внаслідо...
ПРОБЛЕМИ ТА ПЕРСПЕКТИВИ ЗАСТОСУВАННЯ СУЛЬФІДУ КАДМІЮ У СОНЯЧНІЙ ЕНЕРГЕТИЦІ
Наведені результати аналізу найважливіших технологічних характеристик сонячних елементів на основі сульфіду кадмію з точки зору їх використання у сонячній енергетиці. Надано оцінку перспектив такого використання.
ВЛИЯНИЕ СОДЕРЖАНИЯ СЕРЫ И СЕЛЕНА НА КИНЕТИКУ ГИБЕЛИ ФОТОГЕНЕРИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Cu2ZnSn(SхSe1-х)4
Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости изучено влиянии содержания серы и селена на кинетику гибели фотогенерированных носителей тока в твердых растворах CZTSSe. Обнаружено, что при большем содержании се...