МІКРОЕЛЕКТРОННА СИСТЕМА ПІДВИЩЕННЯ ЯКОСТІ МОН-ІНТЕГРАЛЬНІХ СХЕМ

Abstract

Виявлено зв'язок між видами випробувань і дефектами, що проявляються при певному випробуванні, що дозволить підбирати потрібну програму випробувань. Синусоїдальний режим проведення електротермотренування КМОН інтегральних схем, спрощує оснащення і пристосування, дозволяє розмістити більшу кількість приладів в камері тепла.

Authors and Affiliations

С. Л. Хрипко, О. В. ПОХИЛЕНКО

Keywords

Related Articles

ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СИСТЕМИ Zn3P2-Cd3P2

В межах квазікубічного наближення описано зонну структуру потрійних тетрагональних напівпровідників (ZNXCD1-X)3P2, запропоновано аналітичні залежності зонних параметрів від складу х. отримано правила відбору для міжзонни...

THE USE OF RAPID THERMAL ANNEALING FOR THE FORMATION OF OXIDE FILMS IN THE STRUCTURE Dy2O3/por-SiC/SiC

Using Auger spectrometry techniques, we studied the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of dysprosium oxide films deposited onto a por-SiC/SiC. An analysis of atomic composition of the films under i...

МІКРОЕЛЕКТРОННИЙ ПРИЛАД КОНТРОЛЮ ІНТЕНСИВНОСТІ ІОНІЗУЮЧОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ

Розробка мікроелектронних приладів, які відрізняються високою чутливістю та точністю з енергозберігаючою системою живлення є важливим технічним завданням сучасності.

СТРУКТУРНА ПЕРЕБУДОВА МІКРОКЛАСТЕРІВ КРЕМНІЮ ПІДЧАС ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛА

Запропонована та досліджена імовірнісна модель розподілу мікрокластерів у формі ланцюжків з ковалентними міжатомними зв’язками в розплаві кремнію. Показано, що при температурах біля T = 1688 К в процесі вирощування монок...

ВПЛИВ ЛЕГУВАННЯ Si КВАНТОВИХ ТОЧОК AlAs/InAs У ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ AlAs/InAs/GaAs

Для дослідження впливу легування були виготовлені сонячні елементи з квантовими точками InAs/GaAs у проміжній зоні, пролеговані Si. Присутність домішок Si в квантових точках призводить до покращення ефективності внаслідо...

Download PDF file
  • EP ID EP541519
  • DOI -
  • Views 154
  • Downloads 0

How To Cite

С. Л. Хрипко, О. В. ПОХИЛЕНКО (2018). МІКРОЕЛЕКТРОННА СИСТЕМА ПІДВИЩЕННЯ ЯКОСТІ МОН-ІНТЕГРАЛЬНІХ СХЕМ. ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ, 2(), 34-36. https://europub.co.uk./articles/-A-541519