РОЗРОБКА МОДЕЛЕЙ ЛЕГУВАННЯ З ВИКОРИСТАННЯМ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ТА ТЕМПЕРАТУРНИХ КЕРОВАНИХ ВПЛИВІВ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2017, Vol 1, Issue
Abstract
Проблема легування тісно пов’язана з визначенням домішкових рівнів, які виникають у напівпровідниках при його легуванні. Важливе місце займає питання дослідження розчинності легуючих добавок у напівпровіднику при різних температурах. Вивчення механізму розчинності та характеру його зміни в процесі температурної обробки дозволяє не тільки правильно вибрати можливу межу легування тією чи іншою домішкою, а й визначити ті зміни у властивостях напівпровідника, які можуть мати місце при термообробці легованого цією домішкою напівпровідника.
Authors and Affiliations
З. А. Ніконова, А. О. Ніконова, О. Ю. Небеснюк
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539003
- DOI -
- Views 186
- Downloads 0
ПЕРСПЕКТИВИ ЗАСТОСУВАННЯ ТОНКОПЛІВКОВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА ОСНОВІ ТЕЛУРИДА КАДМІЮ
Розглянуті шляхи підвищення к.к.д. тонкоплівкових сонячних елементів на основі телурида кадмію. Надані рекомендації щодо подальших пошуків таких шляхів.
GaN CLUSTERS OBTAINED BY THE METHOD OF RADICAL-BEAM EPITAXY ON POROUS GaAs
This paper proposes an original method for producing gallium nitride clusters on substrates of nanoporous gallium arsenide by annealing the substrate in an atmosphere of nitrogen radicals. The porous surface of GaAs was...
АНІЗОТРОПНІ МОДЕЛІ ЗРОСТАЮЧИХ ПОВЕРХОНЬ ТОНКИХ ПЛІВОК
Досліджується процес зростання тонкої плівки шляхом осадження частинок на поверхню субстрату, його аналітичний опис і відмінності від рівноважних проблем. Обговорюється доцільність нових чинників, таких як анізотропія і...
НАНОКЛАСТЕРИЗАЦИЯ Mn В ZnS:Mn,Mg, ПОЛУЧЕННОМ МЕТОДОМ САМОРАСПРОСТАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА
В работе исследовался ZnS:Mn,Mg, полученный методом самораспростаняющегося высокотемпературного синтеза (СВС) при одновременном введении примесей Mn и Mg. Исследования проводили методами энергодисперсионной рентгеновской...
МІКРОЕЛЕКТРОННИЙ ПРИЛАД КОНТРОЛЮ ІНТЕНСИВНОСТІ ІОНІЗУЮЧОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ
Розробка мікроелектронних приладів, які відрізняються високою чутливістю та точністю з енергозберігаючою системою живлення є важливим технічним завданням сучасності.