SHORT-RANGE ORDER AND NANOPHASE SEPARATION IN As-S-Sb AND As-S-Se CHALCOGENIDE GLASSES
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
In present work the results of investigations on the influence of Sb doping (3, 15, 20, 25 30 at. %) on structural properties of As-S glasses and As-Se-S chalcogenide glasses upon systematic change of the Se- and S-content are presented (As40Se40S20, As40Se20S40, As40Se10S50, As40S60, As40Se60). X-ray diffraction studies confirmed amorphous structure of glasses. Pair distribution functions have been obtained and analyzed, which testified about certain increase of the first coordination sphere radius after introduction of Sb into As-S. From obtained Raman spectra of As-Sb-S and As-Se-S it can be seen that structure changes.
Authors and Affiliations
L. A. Revutska, K. V. Shportko, A. V. Stronski, J. BARAN, O. Yo. Gudymenko, V. V. Kidalov, P. F. OLEKSENKO
Keywords
Related Articles
- EP ID EP541800
- DOI -
- Views 163
- Downloads 0
ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СИСТЕМИ Zn3P2-Cd3P2
В межах квазікубічного наближення описано зонну структуру потрійних тетрагональних напівпровідників (ZNXCD1-X)3P2, запропоновано аналітичні залежності зонних параметрів від складу х. отримано правила відбору для міжзонни...
MAGNETIC SUSCEPTIBILITY MEASUREMENT SYSTEM SIMULATION
For the study of magnetic properties of materials an automated measuring system has been developed. Simulation of its elements allowed to optimize its parameters. the developed model meets the criteria of adequacy and ef...
ЗАСТОСУВАННЯ ПЛІВКОВОГО НАГРІВАЧА В СЕНСОРІ НА ОСНОВІ ЯВИЩА ПОВЕРХНЕВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСУ
В роботі продемонстровано можливість застосування тонкоплівкових композитних нагрівальних елементів (In2O3-20%, SnO2-80%) в сенсорах на основі явища поверхневого плазмонного резонансу з золотим плазмонним шаром. Це дозво...
ХАЛЬКОГЕНІДНІ СТЕКЛА ЛЕГОВАНІ ДРІБНОДИСПЕРСНИМ ZnS:Mn
В роботі проведенні дослідження халькогенідних стекол As-S, легованих дрібнодисперсним ZnS:Mn. Частинки сульфіду цинку вводились в халькогенідне скло двома способами: в процесі синтезу, і введенням частинок в розплав скл...
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРИСТОГО Ge
германий является полупроводником, электрохимия которого изучена наиболее полно. Представления, развитые на основе исследований электрохимических свойств германия, являются основой электрохимии полупроводников и использу...