STRUKTURY FOTOWOLTAICZNE Z PLANARNYM HETEROZŁĄCZEM PÓŁPRZEWODNIK II-VI / PÓŁPRZEWODNIK MOLEKULARNY

Abstract

Artykuł przedstawia wybrane wyniki badań własnych nad układami hybrydowymi zbudowanymi na bazie złącza półprzewodnik nieorganiczny II-VI / półprzewodnik organiczny. Na podstawie analizy położenia pasm energetycznych warstw wchodzących w skład wytworzonych ogniw oraz charakterystyk spektralnych prądu zwarcia tych urządzeń, określone zostały procesy prowadzące do fotogeneracji nośników ładunku w badanych układach. W ogniwach zbudowanych na bazie złącz CdS/ZnPc oraz ZnTe/F16ZnPc zaobserwowano zarówno generację bezpośrednią w półprzewodniku nieorganicznym (przejście pasmo-pasmo), jak i generację wynikającą z dysocjacji ekscytonów wzbudzonych w półprzewodniku molekularnym, zachodzącą na złączu obydwu półprzewodników. W przypadku układów zbudowanych na bazie złącza CdTe/DIP, zaobserwowano jedynie fotogenerację drugiego typu.<br/><br/>

Authors and Affiliations

Ryszard Singerski, Grazyna Jarosz, Justyna Szostak, Jan Godlewski

Keywords

Related Articles

AKTYWACJA PIGMENTÓW CERAMICZNYCH ZA POMOCĄ PROMIENIOWANIA LASEROWEGO

Część pigmentów ceramicznych po naświetleniu promieniowaniem laserowym trwale zmienia barwę (aktywacja pigmentu). W pracy przedstawiono wyniki laserowej aktywacji pigmentów ceramicznych stosowanych w Instytucie Ceramiki...

GENERACJA MIKROSEKUNDOWYCH IMPULSÓW LASEROWYCH

W artykule zaprezentowano opracowany i zbudowany model laboratoryjny lasera Nd:YAG, pracujący na linii 1.32 μm, z modulacją dobroci i wewnątrz-rezonatorową konwersją częstotliwości na drugą harmoniczną. W reżimie „overco...

ZAGROŻENIE PROMIENIOWANIEM OPTYCZNYM LAMP LED

Przedstawiono doniesienia literaturowe oraz własne wyniki badań promieniowania optycznego lamp LED, na podstawie których oceniono stwarzane przez nie zagrożenie fotobiologiczne. Oceny dokonano w oparciu o normę PN-EN 624...

WYTRZYMAŁOŚĆ ELEKTRYCZNA MODYFIKOWANYCH POWIERZCHNIOWO TLENKOWYCH OGRANICZNIKÓW PRZEPIĘĆ, CERAMIKI C – 130 ORAZ UKŁADÓW SZKŁO – ELASTOMER SILIKONOWY

W pracy przedstawiono mechanizm rozwoju wyładowań powierzchniowych na ceramice, szkle z powłoką z elastomeru silikonowego oraz pomiędzy polimerem a warystorem. Na tej podstawie określono wytrzymałość powierzchniową mater...

ANALYSIS OF PROPERTIES OF THIN TiO2 LAYERS FOR APPLICATION IN PHOTOVOLTAIC AND OPTOELECTRONIC DEVICES

This paper presents properties of titanium dioxide thin films prepared in reactive pulse magnetron deposition method using differential variants of process parameters. Layers of TiO2 were deposited on both glass and poly...

Download PDF file
  • EP ID EP68451
  • DOI -
  • Views 87
  • Downloads 0

How To Cite

Ryszard Singerski, Grazyna Jarosz, Justyna Szostak, Jan Godlewski (2014). STRUKTURY FOTOWOLTAICZNE Z PLANARNYM HETEROZŁĄCZEM PÓŁPRZEWODNIK II-VI / PÓŁPRZEWODNIK MOLEKULARNY. Proceedings of Electrotechnical Institute Prace Instytutu Elektrotechniki, 61(264), 91-98. https://europub.co.uk./articles/-A-68451